בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
BSC020N025S G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC020N025S G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 30A/100A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
12798949
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC020N025S G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 110µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
66 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8290 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-1
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
BSC020N025S G
גיליון נתונים של HTML
BSC020N025S G-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC020N025SGXT
BSC020N025SGAUMA1
BSC020N025SGINDKR
BSC020N025SGINCT
BSC020N025SGINTR
SP000095463
BSC020N025SG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
CSD16325Q5
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
5572
DiGi מספר חלק
CSD16325Q5-DG
מחיר ליחידה
0.85
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
BSC025N03MSGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
BSC025N03MSGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.47
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
CSD16321Q5
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
21875
DiGi מספר חלק
CSD16321Q5-DG
מחיר ליחידה
0.61
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS816NW L6327
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
AUIRF4905L
MOSFET P-CH 55V 42A TO262
BSC120N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
AUIRLR120NTRL
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK